IBM日前宣布，该公司已取得技术突破，利用5纳米技术制造出密度更大的芯片。这种芯片可以将300亿个5纳米开关电路集成在指甲盖大小的芯片上。

IBM表示，此次使用了一种新型晶体管，即堆叠硅纳米板，将晶体管更致密地封装在一起。纳米板晶体管通过4栅极去发射电子，这与当前通过3栅极发射电子的FinFET晶体管不同。FinFET最初出现在22纳米和14纳米芯片中，预计在7纳米芯片中仍将继续得到使用。

而随着晶体管密度的增加，5纳米芯片相对于10纳米芯片可以实现40%的性能提升，或是将功耗降低75%。

据了解，此次是IBM与Global Foundries以及三星合作开发5纳米芯片。IBM不会生产这种芯片，生产工作由Global Foundries和三星负责，而这两家公司也可以选择获得5纳米工艺的授权。预计5纳米芯片将在2020年左右开始大规模量产。

IBM研究院半导体技术研究副总裁穆克什·凯尔（Mukesh Khare）表示，芯片行业正在努力突破FinFET的设计，因为这种设计无助于集成电路规模的进一步扩大。随着芯片设计人员尝试集成更多的晶体管，芯片正面临晶体管泄露的问题。

凯尔指出：“从几何学上来说，FinFET无法再继续扩大规模。摩尔定律不断受到挑战，因为跟上摩尔定律并不容易。这需要不断取得基础性的突破。这种新的晶体管将帮助芯片行业继续发展，产生摩尔定律所预测的经济价值。”

尽管如此，由于芯片行业面临着摩尔定律能否持续的不确定性，因此芯片设计者正在探索替代方案。近年来，芯片的重要发展来自于新的处理器架构，而不是在单位面积上集成更多晶体管。例如，GPU（图形处理单元）已成为“深度学习”技术主要的训练工具。谷歌则开发了专用处理器TPU（张量处理单元），目标是通过云计算平台运行深度学习软件。